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无线和射频半导体
2SK3476(TE12L,Q)参考图片

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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3476(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,042.4863
2:¥1,993.3087
5:¥1,964.1095
10:¥1,936.368
参考库存:1861
无线和射频半导体
射频发射器 ASK/FSK TRANSMITTER 10 PIN PKG
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
5,000:¥5.1189
参考库存:6838
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC T/R Switch DC - 3 GHz
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.6461
100:¥35.3464
500:¥30.736
参考库存:2312
无线和射频半导体
射频放大器 0.7GHz - 1.2GHz SPI-Controlled DVGA
1:¥145.3858
10:¥137.1594
参考库存:1866
无线和射频半导体
射频放大器 50-3000MHz 5V Gain 18.4dB NF 3.6dB
1:¥16.9048
25:¥12.9046
100:¥10.1474
参考库存:1894
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