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无线和射频半导体
BGA8U1BN6E6327XTSA1参考图片

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BGA8U1BN6E6327XTSA1

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库存:17,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
15,000
¥1.921
28815
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSNP-6
类型
Low Noise Amplifier
技术
SiGe
工作频率
4 GHz to 6 GHz
增益
13.7 dB
工作电源电压
1.6 V to 3.1 V
NF—噪声系数
1.6 dB
工作电源电流
4.5 mA
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
15000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
8U1BN6 BGA E6327 SP001495624
商品其它信息
优势价格,BGA8U1BN6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6GHz NF 3.9dB Gain 21.3dB 50 Ohm
1:¥17.3681
25:¥13.2888
100:¥10.3734
250:¥8.6106
2,500:¥6.8365
参考库存:10134
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256/512 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN32, mesh
1:¥54.1722
10:¥51.1777
25:¥49.6409
50:¥48.1832
参考库存:3530
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:3697
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:3529
无线和射频半导体
衰减器 5-6000MHz DSA 5 bit 15.5dB / .5dB step
1:¥29.4252
25:¥22.5887
100:¥17.6732
250:¥14.5996
2,500:¥10.0683
参考库存:5735
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