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无线和射频半导体
MRFE6VS25GNR1参考图片

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MRFE6VS25GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
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数量单价合计
1
¥230.6782
230.6782
5
¥228.2939
1141.4695
10
¥212.7677
2127.677
25
¥203.2418
5081.045
500
¥164.98
82490
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
142 V
增益
27 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 GHz to 2 GHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
零件号别名
935314771528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,MRFE6VS25GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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1:¥29.8094
10:¥29.3574
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1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:3947
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1:¥115.3391
10:¥106.0392
25:¥101.6548
100:¥89.5186
1,000:¥73.0771
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1:¥1,175.7311
5:¥1,141.074
10:¥1,106.496
25:¥1,037.34
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无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE and ANT + Dual 256KB Flash 16KB Ram
暂无价格
参考库存:23384
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