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无线和射频半导体
MRFE6VS25GNR1参考图片

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MRFE6VS25GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
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数量单价合计
1
¥230.6782
230.6782
5
¥228.2939
1141.4695
10
¥212.7677
2127.677
25
¥203.2418
5081.045
500
¥164.98
82490
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
142 V
增益
27 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 GHz to 2 GHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
零件号别名
935314771528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格，MRFE6VS25GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CY2305SXC-1T
Cypress Semiconductor
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锁相环 - PLL 3.3VZDB COM
1:¥29.6625
10:¥26.5098
25:¥23.8995
100:¥21.7412
2,500:¥14.1363
参考库存:6464
BGA7H1N6E6327XTSA1
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1:¥6.4523
10:¥5.4918
100:¥4.2149
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15,000:¥2.4408
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MASW-008955-TR3000
MACOM
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500:¥4.2149
3,000:¥2.8702
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HMC3653LP3BETR
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1:¥198.4732
5:¥187.5687
10:¥183.0374
25:¥164.5167
500:¥141.928
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HMC1063LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 mix, IQ, 24-28GHz
1:¥158.7537
10:¥145.9169
25:¥139.9279
100:¥123.2491
参考库存:4491
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