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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	0.5 in x 0.5 in
类型	RF Power Amplifier
技术	GaN SiC
工作频率	20 MHz to 6000 MHz
P1dB - 压缩点	-
增益	17 dB
工作电源电压	28 V
NF—噪声系数	-
测试频率	4 GHz
OIP3 - 三阶截点	23 dBm
工作电源电流	4 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tray
带宽	20 MHz to 6000 MHz
产品	GaN
商标	Wolfspeed / Cree
通道数量	1 Channel
开发套件	-
输入返回损失	- 9 dB
隔离分贝	-
Pd-功率耗散	2 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	-
电源电压-最小	-

商品其它信息

优势价格，CMPA0060002F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFR193WH6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.0792 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.63054	参考库存:34457
ARF1505	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥1,510.0642 2:¥1,473.7121 5:¥1,452.1178 10:¥1,431.5292	参考库存:2335
BLF245	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥553.248 10:¥461.04 25:¥414.936 50:¥368.832	参考库存:2356
PAT1220-C-5DB-T5	Susumu	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 5dB 50ohm	1:¥2.7685 10:¥2.3843 25:¥2.147 100:¥1.8645 5,000:¥1.02152	参考库存:10055
RFX2411	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+Ant Diversity Sw	1:¥12.2153 10:¥11.0627 25:¥9.831 100:¥8.9157 2,500:¥5.0963	参考库存:3057