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无线和射频半导体
MRF1511NT1参考图片

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MRF1511NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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数量单价合计
1
¥83.7556
83.7556
10
¥76.9982
769.982
25
¥73.6082
1840.205
100
¥65.088
6508.8
1,000
¥51.5619
51561.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
175 MHz
系列
MRF1511NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
62.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935314119515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRF1511NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPST, 0.5-3GHz
1:¥40.115
10:¥36.0357
100:¥29.5834
250:¥28.0466
参考库存:1528
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/433MHz ASK Superheterodyne Rec
1:¥28.589
25:¥20.3626
250:¥18.9049
1,000:¥17.2099
2,000:¥16.4415
参考库存:1668
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 350 - 550 MHz
1:¥91.3605
10:¥83.9816
25:¥80.5238
100:¥70.9188
参考库存:1531
无线和射频半导体
射频放大器 LNA w/ bypass, 4.4-6.0 GHz, 1.8V logic
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥18.0574
参考库存:4028
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 2.5GHz 37dB Iso CMOS 4:1 Mux/SP4T
1:¥35.6515
10:¥31.8095
25:¥28.6568
50:¥27.3573
参考库存:1543
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