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无线和射频半导体
SD2931-10W参考图片

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SD2931-10W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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数量单价合计
1
¥544.3323
544.3323
5
¥534.3431
2671.7155
10
¥520.5119
5205.119
25
¥510.2967
12757.4175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
230 MHz
系列
SD2931-10
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,SD2931-10W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .45-3.8GHz NF .55dB Gain 37.5dB
1:¥73.3031
25:¥56.1723
100:¥43.8779
250:¥36.3408
2,500:¥28.6568
参考库存:5059
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Any-frequency jitter attenuating clock
1:¥235.1304
10:¥221.2992
25:¥214.3045
50:¥207.3889
参考库存:2784
无线和射频半导体
射频混合器 RF 5-35/IF DC-4.5GHz LO3-33GHz IIP3 23dBm
1:¥87.1343
10:¥79.1452
25:¥73.3031
50:¥69.0769
1,000:¥51.0986
参考库存:3363
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC 75 Ohm SPST RF SW 1MHz - 3500MHz
1:¥15.5262
10:¥12.5204
100:¥11.30
200:¥9.9892
参考库存:3161
无线和射频半导体
衰减器 DC-2GHz 4 Bit 1dB steps to 15dB
1:¥48.8725
10:¥37.7307
100:¥34.352
250:¥31.0411
1,000:¥22.7469
参考库存:4251
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