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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-24
类型	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
工作频率	1.8 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	30 dBm
增益	32.2 dB
工作电源电压	7.5 V
测试频率	520 MHz
工作电源电流	24 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	AFIC901N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	NXP / Freescale
通道数量	2 Channel
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935313071547
单位重量	46.500 mg

商品其它信息

优势价格，AFIC901NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2729-125	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor	20:¥2,489.9211 25:¥2,455.8064	参考库存:55265
STW82101BTR	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL RF Down Converter Embedded Integer-N	2,500:¥64.6247	参考库存:55268
AM-180-PIN	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 10-2000MHz NF: 7.0dB VSWR: 2:1	10:¥2,681.1736	参考库存:55271
D1202UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE	50:¥446.5195 100:¥439.683	参考库存:55274
D2008UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE	120:¥213.6152 270:¥208.6206	参考库存:55277