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无线和射频半导体
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MRF148A

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
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参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
18 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
115 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
单位重量
4.200 g
商品其它信息
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