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无线和射频半导体
CGHV14500F参考图片

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CGHV14500F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
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¥4,483.0038
4483.0038
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
36 A
输出功率
510 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 130 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440117
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV14500F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV14500F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D10040240GT
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 6dB, Gain 25.5dB
1:¥273.6295
25:¥255.6512
100:¥240.125
250:¥228.7572
参考库存:1907
SI4732-A10-GS
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 Con. Ele. AM/FM RDS/SW/LW Receiver 16-pin SOIC, lead free
1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:1909
SD57060
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
1:¥636.2352
5:¥624.551
10:¥596.5044
25:¥576.6051
参考库存:1867
HMC344ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-8 GHz SP4T -V NonReflective Switch
1:¥222.4518
5:¥210.3156
10:¥205.1628
25:¥184.416
参考库存:2129
CC2430F128RTC
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2430-F128 CHIP W/ 128kB Flash
1:¥100.8186
10:¥92.6713
25:¥87.9027
100:¥78.2977
参考库存:2119
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