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无线和射频半导体
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QPD1019

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.9 GHz to 3.3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1019EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1019的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF 2040 E6814
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:20664
HMC8410LP2FETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai
1:¥357.3851
5:¥347.2377
10:¥333.4065
25:¥309.4392
500:¥265.5613
参考库存:3791
HMC656
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 Sixed, 10 dB Pass atten Chip, DC-50GHz
50:¥90.5921
100:¥79.8345
250:¥75.9134
500:¥74.3766
参考库存:3593
TGA2525
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-18GHz LNA / Gain Block w/AGC
100:¥313.123
300:¥280.692
参考库存:41248
LMX2470SLEX
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 2.6 GHz Delta-Sigma Fractional-N PLL wit
1:¥35.8097
10:¥32.1937
100:¥26.3516
250:¥24.747
2,500:¥17.9783
参考库存:5132
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