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无线和射频半导体
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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4705-D62-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FM receiver with RDS, short antenna capable
1:¥15.5262
10:¥15.2889
25:¥14.9838
50:¥14.6787
100:¥13.673
参考库存:16001
NJM2292V-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频无线杂项 Narrow Band FM IF IC
1:¥9.2208
10:¥8.2264
25:¥6.9156
50:¥6.2037
2,000:¥5.537
参考库存:16004
CC1100RTKG3
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 Highly Integrated Multi Ch RF Xceiver
1:¥49.946
10:¥45.1774
25:¥41.7987
100:¥37.4256
参考库存:16007
HMC786LP4ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 mix, 900MHz, BiCMOS
500:¥116.2544
参考库存:16010
GC4702-35
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥343.7799
5:¥325.1914
10:¥321.4963
25:¥297.2917
参考库存:16013
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