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无线和射频半导体
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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ART915X250903AM-IC
ABRACON
无线和射频半导体
RFID应答器 915MHz 6.5 meter range
1:¥67.6983
10:¥60.9296
100:¥50.1042
500:¥38.7251
参考库存:2433
BH4127FV-E2
ROHM Semiconductor
无线和射频半导体
射频混合器 IF MIXER 16PIN
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7461
参考库存:5288
MRF137
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥379.2845
10:¥341.3278
25:¥322.502
50:¥312.897
100:¥238.8933
参考库存:40794
PD84002
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
1:¥32.8152
10:¥27.8884
100:¥24.1255
250:¥22.8938
2,500:¥16.5206
参考库存:4537
UA5M20MC
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 5-20GHz MMIC Amplifier w/Int Bias
50:¥330.4911
100:¥320.1968
200:¥308.8968
参考库存:2371
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