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无线和射频半导体
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HMC263LP4ETR

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
24 GHz to 36 GHz
P1dB - 压缩点
6 dBm
增益
21 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
2 dB
OIP3 - 三阶截点
16 dBm
工作电源电流
58 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC263
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
Pd-功率耗散
0.7 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,HMC263LP4ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥49.946
10:¥44.9514
25:¥40.9512
50:¥37.8776
参考库存:5682
无线和射频半导体
射频放大器 .05-3.8GHz NF 1.9dB Gain 15dB OIP3 40dB
1:¥17.8314
10:¥16.9839
100:¥15.6731
250:¥13.8312
2,500:¥5.9777
参考库存:6424
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Single SOT-23
1:¥4.9946
10:¥3.9211
100:¥2.9719
500:¥2.5312
3,000:¥1.6611
参考库存:12518
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
参考库存:4449
无线和射频半导体
射频前端 900-930MHz NF 21.5dB Gain Tx/Rx 33/16dB
1:¥42.6462
10:¥38.1149
25:¥34.2729
100:¥31.1993
4,500:¥18.5207
参考库存:8041
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