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无线和射频半导体
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HMC263LP4ETR

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
24 GHz to 36 GHz
P1dB - 压缩点
6 dBm
增益
21 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
2 dB
OIP3 - 三阶截点
16 dBm
工作电源电流
58 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC263
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
Pd-功率耗散
0.7 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,HMC263LP4ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 BGA7204/HVQFN32///REEL 7 Q1 NDP
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,500:¥9.379
参考库存:5564
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 18dB NF 3dB GaAs
1:¥223.2993
25:¥210.3156
100:¥198.8574
250:¥187.4896
参考库存:4313
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4620
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 40dB Sample board
1:¥3,842.00
参考库存:4292
无线和射频半导体
射频放大器 2dB Noise Figure Gain Block
1:¥38.5782
10:¥34.4198
25:¥30.962
50:¥29.5834
1,000:¥19.8202
参考库存:5291
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