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无线和射频半导体
T1G4012036-FL参考图片

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T1G4012036-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
24 W
最大漏极/栅极电压
- 2.9 V
Pd-功率耗散
117 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
工作频率
3.3 GHz
产品
GaN RF Power Transistors
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1096176
商品其它信息
优势价格,T1G4012036-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:34457
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:2335
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:2356
无线和射频半导体
衰减器 5dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:10055
无线和射频半导体
射频前端 ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+Ant Diversity Sw
1:¥12.2153
10:¥11.0627
25:¥9.831
100:¥8.9157
2,500:¥5.0963
参考库存:3057
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