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无线和射频半导体
HMC-ALH310-SX参考图片

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HMC-ALH310-SX

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 37 - 42 GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
37 GHz to 42 GHz
P1dB - 压缩点
12 dBm
增益
22 dB
工作电源电压
2.5 V
NF—噪声系数
3.5 dB
工作电源电流
52 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH310
封装
Waffle
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
4 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH310-SX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:27454
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:27457
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥33.6514
520:¥31.8095
1,040:¥31.2784
参考库存:27460
无线和射频半导体
射频混合器 Hi Signal Level Upconverting Mixer
95:¥45.7198
190:¥37.8098
285:¥35.8888
570:¥35.1204
1,045:¥33.7305
参考库存:27463
无线和射频半导体
射频收发器 TX SubG
2,500:¥9.605
参考库存:27466
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