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无线和射频半导体
CGHV60075D5参考图片

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CGHV60075D5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
41.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
3000 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 10 V, + 2 V
零件号别名
CGHV60075D5-GP4
商品其它信息
优势价格,CGHV60075D5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4pin 75ohm +/- 0.3dB Attenuation 0dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:16885
无线和射频半导体
RFID应答器 SL2S1402FUD/UNCASED///WAFER SAWN FFC NDP NO MARK S
1:¥3.5369
10:¥2.4634
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
参考库存:16888
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:16891
无线和射频半导体
射频收发器 Mykonos+DPD Broad Market Release
1,500:¥2,660.6641
参考库存:16894
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
参考库存:16897
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