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产品分类

无线和射频半导体
CGHV35150F参考图片

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CGHV35150F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV35150-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV35150F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 3W SPDT T/R Switch SMT, DC - 6 GHz
1:¥55.7881
10:¥50.4093
50:¥48.1041
100:¥41.7196
参考库存:3746
无线和射频半导体
RF 开关 IC .02-4GHz SP4T IL=1dB GaAs pHEMT
1:¥47.7199
10:¥42.8722
25:¥38.7251
50:¥36.725
3,000:¥23.6622
参考库存:6337
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Flash Clock Gen 1MHz-133MHz
1:¥89.9819
10:¥82.5239
25:¥74.9981
50:¥71.4612
参考库存:42113
无线和射频半导体
RFID应答器 10mm dia, 1Kb tag, metal/non
1:¥250.1142
5:¥243.1195
10:¥236.1248
25:¥227.6724
参考库存:3664
无线和射频半导体
射频收发器 315/345/433.92MHz ASK Transceiver
1:¥45.7198
10:¥43.1095
参考库存:3777
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