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无线和射频半导体
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TGF2956

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
输出功率
47.6 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
53 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112248
商品其它信息
优势价格，TGF2956的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LX5560LL-TR
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 LX5560LL-TR
1:¥9.4468
10:¥8.5315
25:¥7.571
100:¥6.8252
3,000:¥3.8985
参考库存:42884
HMC342LC4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 13 - 25 GHz
1:¥400.9466
5:¥389.5788
10:¥374.1317
25:¥347.1586
参考库存:4437
HMC342LC4TR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 13 - 25 GHz
1:¥400.9466
5:¥389.5788
10:¥374.1317
25:¥347.1586
100:¥324.8072
参考库存:4457
HMC629ALP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥125.0232
10:¥114.9549
25:¥110.1863
100:¥97.1235
500:¥90.4452
参考库存:4441
BAR141E6327HTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 100 V 140 mA
1:¥2.7685
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.69947
参考库存:11795
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