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无线和射频半导体
CGHV40320D-GP4参考图片

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CGHV40320D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
-
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
-
输出功率
320 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
-
工作频率
4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC2640F128RSMR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth Smart ULP Wireless MCU
1:¥34.8831
10:¥31.3462
100:¥25.6623
250:¥24.1255
3,000:¥17.515
参考库存:4423
ATMEGA1284RZAP-AU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1280V-8AU AT86RF230-ZU
1:¥39.9568
参考库存:1862
HMC545AE
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SPDT Switch, DC - 3 GHz
1:¥24.0464
10:¥21.5943
100:¥17.7523
250:¥16.8257
参考库存:2405
MRF134
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:1973
MA4P7461F-1072T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=.5ohm Ct=1.0pF non-Mag MELF
1:¥56.0141
10:¥50.4093
25:¥45.878
100:¥41.4936
1,500:¥28.2048
参考库存:24532
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