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无线和射频半导体
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PTVA035002EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥2,586.3553
646588.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
500 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA035002EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F2932NBGP
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2932 RF Switch
1:¥30.1258
10:¥26.894
25:¥24.2046
100:¥22.0576
参考库存:2393
ATSAMR35J16B-I/7JX
Microchip Technology
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver
1:¥38.4991
10:¥37.9567
25:¥35.5046
参考库存:2438
F2976NEGK8
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥15.6731
10:¥12.6786
100:¥11.3678
250:¥10.1474
3,000:¥6.8478
参考库存:4643
SKY13592-689LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC 1-6GHz SPDT IL .45dB Hi Iso 35dB
1:¥20.2044
10:¥18.2156
25:¥16.4415
50:¥15.594
3,000:¥10.0683
参考库存:4993
BGSA11GN10E6327XTSA1
ON Semiconductor
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
7,500:¥1.5029
参考库存:10413
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