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无线和射频半导体
PTFB182503FL-V2-R250参考图片

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PTFB182503FL-V2-R250

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库存:54,388(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB182503FL-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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100:¥124.9441
参考库存:29975
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无线和射频半导体
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520:¥39.4935
1,040:¥38.8833
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无线和射频半导体
PIN 二极管
65:¥128.481
100:¥124.7859
250:¥113.8023
500:¥106.4234
参考库存:29984
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:29987
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