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无线和射频半导体
PTVA120121M-V1-R1K参考图片

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PTVA120121M-V1-R1K

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
1,000
¥79.6085
79608.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.96 Ohms
增益
21.5 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SON-10
封装
Reel
工作频率
500 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA120121M-V1-R1K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 MODULATOR/DEMOD IC
1:¥189.7948
5:¥183.4216
10:¥176.8111
25:¥168.3587
参考库存:4818
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:24525
无线和射频半导体
射频混合器 400 MHz to 3.8 GHz 3.3V Downconverting MixerLT
1:¥110.5705
25:¥73.4613
100:¥60.7036
250:¥57.7091
参考库存:4714
无线和射频半导体
PIN 二极管 5-3000MHz 36dB Attn. IL -2.8dB
1:¥16.3624
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
3,000:¥6.9495
参考库存:6648
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC FeliCa, TypeB
1:¥20.905
10:¥16.8257
100:¥13.5261
500:¥11.8311
5,000:¥8.3733
参考库存:6957
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