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无线和射频半导体
HMC452ST89参考图片

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HMC452ST89

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 04 - 2.2 GHz
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库存:54,221(价格仅供参考)
数量单价合计
60
¥118.4918
7109.508
100
¥104.3442
10434.42
250
¥99.2818
24820.45
500
¥97.2026
48601.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点
31.5 dBm
增益
9 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
6.5 dB
OIP3 - 三阶截点
49 dBm
工作电源电流
510 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC452
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
20 dB
Pd-功率耗散
2.7 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC452ST89的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Power Amplifier
1:¥192.9475
500:¥192.9475
参考库存:13298
无线和射频半导体
射频放大器 MD7IC1812N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
1:¥294.3763
5:¥278.4659
10:¥274.477
25:¥254.6455
500:¥201.5468
参考库存:13301
无线和射频半导体
预定标器 26 GHz DivBy8 SMT w/Reset&prgm out volt
4:¥1,103.4224
5:¥1,087.8284
10:¥1,056.776
25:¥1,002.3778
参考库存:13304
无线和射频半导体
射频放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14
500:¥507.37
参考库存:13307
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:13310
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