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无线和射频半导体
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AFIC31025GNR1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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500
¥283.4605
141730.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
31.9 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WBG-17
封装
Reel
工作频率
2400 MHz to 3100 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935343961528
单位重量
598.100 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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