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无线和射频半导体
NJG1104KB2-TE1参考图片

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NJG1104KB2-TE1

  • NJR
  • 新批次
  • 射频放大器 800 MHz Low Noise
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库存:53,616(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥11.0627
33188.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NJR
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FLP-6-B2
类型
General Purpose Amplifier
工作频率
900 MHz
增益
15 dB
NF—噪声系数
1.2 dB
测试频率
865 MHz
OIP3 - 三阶截点
21 dBm
工作电源电流
7.5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
NJG1104
封装
Reel
商标
NJR
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
2.7 V
商标名
NJG110
商品其它信息
优势价格,NJG1104KB2-TE1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=1000VDC Rs=.7 Ohm Cj=.6pF
100:¥37.4256
参考库存:13023
无线和射频半导体
PIN 二极管 30V; 100mA PIN Diode
1:¥2.8476
10:¥1.8419
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
参考库存:13026
无线和射频半导体
调节器/解调器 0.4GHz to 4GHz Quad Mod
3,000:¥55.7881
参考库存:13029
无线和射频半导体
调节器/解调器 30MHz to 1.4GHz Wideband IQ Demodulator with IIP2 and DC Offset Control
1:¥105.1126
25:¥69.7662
100:¥57.7091
250:¥54.7824
参考库存:13032
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:13035
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