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无线和射频半导体
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D2031UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
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相关型号
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
F-0127-8
配置
Single
高度
2.31 mm
长度
6.5 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.5 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2031UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD8345AREZ
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 140MHz TO 1000MHz Quadrature
1:¥80.9871
10:¥73.5404
25:¥69.0769
50:¥66.5457
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MAX2014EUA+T
Maxim Integrated
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1:¥54.3982
10:¥51.4037
25:¥41.0303
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2,500:¥25.7414
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AG203-86G
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1:¥18.6676
25:¥14.2945
100:¥11.1418
250:¥9.2208
3,000:¥6.3732
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BGA420H6327XT
Infineon Technologies
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1:¥6.5314
10:¥5.4579
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
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A21-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1200MHz NF 2.8dB Gain 15dB
1:¥1,047.7925
参考库存:39804
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