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无线和射频半导体
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PTFB072707FH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥914.396
45719.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
270 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288G-4/2
封装
Reel
工作频率
728 MHz to 768 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB072707FH-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADF4153YCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥53.0196
50:¥49.7878
参考库存:3137
SX-SDPAN-2830BT-SP
Silex Technology
无线和射频半导体
射频收发器 802.11a/b/g/n + BT 10 pc pak
1:¥3,096.4938
2:¥3,050.9322
5:¥3,006.7492
10:¥2,922.067
参考库存:3071
TGA2512-2-SM
Qorvo
无线和射频半导体
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1:¥326.344
25:¥270.2508
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NRF24LE1-F16Q32-R
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
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1:¥49.8669
10:¥40.115
100:¥36.499
250:¥32.9621
4,000:¥20.9728
参考库存:41526
HMC241ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl Swtch DC
1:¥66.9299
10:¥60.4776
50:¥57.7091
100:¥50.1042
参考库存:4803
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