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无线和射频半导体
NJG1127HB6参考图片

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NJG1127HB6

  • NJR
  • 新批次
  • 射频放大器 800MHz Band LNA GaAs MMIC
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数量单价合计
3,000
¥4.1132
12339.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NJR
产品种类
射频放大器
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
USB-8-B6
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
800 MHz
P1dB - 压缩点
9 dBm
增益
15 dB
工作电源电压
2.8 V
NF—噪声系数
2.5 dB
测试频率
880 MHz
工作电源电流
16 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
NJG1127
封装
Tube
商标
NJR
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
2.95 V
电源电压-最小
2.65 V
商标名
NJG112
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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