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无线和射频半导体
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格,TGF2978-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer
1:¥10.3734
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥6.0003
2,500:¥4.2036
参考库存:1621
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=250VDC Cj=.2pF Rs=.7 Ohms
100:¥10.7576
200:¥10.0683
参考库存:1854
无线和射频半导体
RF 开关 IC .4-3.0GHz SP2T IL .4dB @ 2.GHz
1:¥4.2262
10:¥3.7403
100:¥2.8702
250:¥2.3391
3,000:¥1.6498
参考库存:19712
无线和射频半导体
射频放大器 9-10GHz 16W GaN Power Amplifier
1:¥3,012.128
25:¥2,443.512
参考库存:1062
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC BLE
1:¥28.4308
10:¥25.5832
100:¥20.905
250:¥19.6733
2,500:¥14.2945
参考库存:1466
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