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无线和射频半导体
QPD1881L参考图片

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QPD1881L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
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库存:52,558(价格仅供参考)
数量单价合计
25
¥2,151.52
53788
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
21.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
13 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
237 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1881LEVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1881L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz RF TRNSCVR W/ EMB MCU & 10BIT ADC
1:¥47.1775
10:¥43.2564
25:¥39.3466
100:¥35.3464
1,000:¥26.4307
参考库存:13417
无线和射频半导体
射频混合器 LO Freq. 85-4200MHz WB Synthesizer/VCO
100:¥115.9493
参考库存:13420
无线和射频半导体
射频发射器 FM STEREO TRANSMITTR 24PIN
1:¥82.1397
10:¥74.2297
25:¥70.7719
100:¥61.472
2,000:¥44.8723
参考库存:13423
无线和射频半导体
射频放大器 upscreen part for Space
500:¥101.6548
参考库存:13426
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:13429
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