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无线和射频半导体
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D2212UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥441.0616
22053.08
100
¥428.9254
42892.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2212UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调节器/解调器 Balanced Mod/DeMod
1:¥6.3054
10:¥5.2093
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
2,500:¥2.2713
参考库存:8706
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:10089
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Speed CMOS w/VCO & Lock Detect
1:¥21.8203
10:¥19.5942
100:¥16.0573
250:¥15.0629
参考库存:4664
无线和射频半导体
射频混合器 9-13GHz lo LO DRIVE PASSIVE IQ mix
1:¥254.1822
5:¥240.2832
10:¥234.4411
25:¥210.7676
参考库存:4523
无线和射频半导体
射频放大器 2.7GHz 4dB 5V 125mA
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6557
参考库存:5854
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