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无线和射频半导体
CGHV40200PP参考图片

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CGHV40200PP

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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1
¥2,899.7834
2899.7834
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
250 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
166 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440199
封装
Tray
配置
Single
工作频率
1.7 GHz to 1.9 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40200PP-AMP1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV40200PP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 WLAN/WiMAX Low-Noise Amp
1:¥10.5994
10:¥9.9892
25:¥7.9891
50:¥7.5936
2,500:¥4.7912
参考库存:6906
无线和射频半导体
衰减器 2db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:3769
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:5689
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz ZigBee/ISM RFeIC PA+LNA+SPDT
1:¥11.6051
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
2,500:¥4.4183
参考库存:15747
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU JenNet-IP ZigBee PRO &IEEE802.15.4 Module
1:¥134.6282
10:¥128.2437
25:¥118.6387
50:¥112.1864
400:¥92.9764
参考库存:4998
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