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无线和射频半导体
CGHV40180F参考图片

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CGHV40180F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥2,663.9637
2663.9637
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
20.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440223
封装
Tray
工作频率
DC to 1000 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40180F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGHV40180F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥94.129
10:¥84.75
25:¥77.2242
100:¥69.6984
参考库存:14300
无线和射频半导体
调谐器 Direct-Conversion to Low-IF Tuner for Digital Audio Broadcast
1:¥52.5563
10:¥49.946
25:¥41.1885
100:¥36.8041
参考库存:14303
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:14306
无线和射频半导体
射频发射器 SX1223I073TRT--Tape and Reel
1:¥24.747
10:¥19.9784
100:¥18.1365
250:¥16.4415
3,000:¥11.4469
参考库存:14309
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz NF 4dB Gain 15dB
100:¥10.4525
参考库存:14312
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