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无线和射频半导体
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1SV308TH3FT

  • Toshiba
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  • PIN 二极管 VARICAP DIODE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
PIN 二极管
RoHS
是
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.5 pF
最大串联电阻（中频最大时）
1.5 Ohms
If - 正向电流
50 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
30 MHz
最大工作频率
300 MHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOD-523-2
系列
1SV308
封装
Reel
配置
Single
高度
0.6 mm
长度
1.2 mm
类型
PIN Diodes
宽度
0.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
4000
子类别
Diodes & Rectifiers
商品其它信息
优势价格，1SV308TH3FT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC7447-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 71-86GHz PWR DET
2:¥888.4964
6:¥859.8396
10:¥842.6297
26:¥808.2777
参考库存:18163
ADG936BRUZ-REEL7
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 4GHz 36dB Iso CMOS Dual SPDT
1,000:¥19.0518
2,000:¥17.9783
参考库存:18166
HMC490LP5ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise hi IP3 amp SMT, 12 - 16 GHz
500:¥367.6794
参考库存:18169
SI4826-A10-CU
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FM/AM/SW with mechanical tuning/digital display
1:¥112.4915
10:¥110.4236
25:¥108.3444
50:¥106.2652
参考库存:18172
MHT1001HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W
1:¥1,530.4946
5:¥1,496.3799
10:¥1,465.8021
25:¥1,444.1287
50:¥1,391.7306
参考库存:18175
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