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无线和射频半导体
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D2014UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥373.2164
18660.82
100
¥362.9108
36291.08
250
¥357.7693
89442.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2014UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 1CH 4.6dB 6V 325mA
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
6,000:¥9.2999
参考库存:7758
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SimpleLink Ultra LP Wireless MCU
1:¥35.9566
10:¥32.3519
100:¥26.4307
250:¥24.8148
500:¥22.5096
参考库存:2656
无线和射频半导体
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 17.5dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:4350
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO
1:¥32.9621
10:¥32.3519
25:¥31.7304
50:¥30.51
参考库存:2370
无线和射频半导体
射频前端 2.5 and 5 GHz
1:¥46.33
250:¥42.488
500:¥37.1092
1,000:¥30.8942
2,500:¥30.8942
参考库存:4354
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