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无线和射频半导体
LTE3401HX参考图片

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LTE3401HX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频放大器 LTE3401H/XSON6///REEL 7 Q1 NDP
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库存:29,653(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥1.6159
8079.5
10,000
¥1.5481
15481
25,000
¥1.4916
37290
50,000
¥1.469
73450
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
XSON-6
类型
LNA
技术
SiGe
工作频率
1452 MHz to 2690 MHz
P1dB - 压缩点
- 10.5 dBm
增益
17 dB
工作电源电压
1.5 V to 3.1 V
NF—噪声系数
0.75 dB
测试频率
2690 MHz
OIP3 - 三阶截点
2.5 dBm
工作电源电流
12.7 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
LTE3401
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
隔离分贝
30 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
5000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935354631115
商品其它信息
优势价格,LTE3401HX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 DC-to-2.5GHz Hi IP3
1,000:¥36.6572
2,000:¥36.1939
参考库存:18712
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz -65C +125C Iso 38dB
1:¥145.9169
10:¥132.4699
25:¥122.7858
50:¥115.7233
500:¥93.2024
参考库存:18715
无线和射频半导体
衰减器 .1-31GHz Attn 15.5dB 5 Bit LSB .5dB GaN
100:¥151.2957
300:¥137.7018
500:¥125.3283
参考库存:18718
无线和射频半导体
射频放大器 1218 MHZ CATV MMIC POWER DOUBLER
1,500:¥91.8238
参考库存:18721
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:18724
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