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无线和射频半导体
STAC1214-250参考图片

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STAC1214-250

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
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15
¥1,219.2926
18289.389
30
¥1,202.2409
36067.227
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
14 dB
输出功率
260 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
系列
STAC1214-250
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
928 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,STAC1214-250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 Extension Cable 50m
1:¥7,101.8579
参考库存:1277
无线和射频半导体
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1:¥33.8887
10:¥30.2727
25:¥27.2782
50:¥25.9674
1,000:¥17.4472
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无线和射频半导体
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1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:1350
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.8327
5:¥155.2168
10:¥144.6852
25:¥138.1538
参考库存:1491
无线和射频半导体
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1:¥21.2892
10:¥19.1309
100:¥15.594
250:¥14.6787
参考库存:2667
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