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无线和射频半导体
A2T09D400-23NR6参考图片

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A2T09D400-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:28,808(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥942.6008
141390.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 70 V
增益
17.9 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S-7
封装
Reel
工作频率
716 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935318726528
单位重量
5.285 g
商品其它信息
优势价格,A2T09D400-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
上下转换器 Low-Noise 2.5GHz Downconverter Mixer
1:¥30.5778
10:¥28.815
25:¥23.052
50:¥21.8994
2,500:¥14.8256
参考库存:12588
无线和射频半导体
预定标器 2-18GHz IL 1.0dB VSWR 1.60:1
1:¥4,330.3182
参考库存:2600
无线和射频半导体
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
1:¥32.0468
10:¥31.4253
25:¥30.8942
50:¥30.2727
2,500:¥29.5043
参考库存:41045
无线和射频半导体
射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/915MHz ISM Band
1:¥36.8832
100:¥32.657
参考库存:2605
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:2670
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