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无线和射频半导体
A2T09D400-23NR6参考图片

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A2T09D400-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
150
¥942.6008
141390.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 70 V
增益
17.9 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S-7
封装
Reel
工作频率
716 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935318726528
单位重量
5.285 g
商品其它信息
优势价格，A2T09D400-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5:¥280.1609
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25:¥249.6509
100:¥233.5936
参考库存:13846
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1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
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参考库存:13849
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1:¥61.8562
10:¥58.3984
25:¥56.7034
50:¥55.0197
参考库存:13852
CC2511F8RSP
Texas Instruments
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1:¥53.562
10:¥48.4092
25:¥44.7932
100:¥40.115
参考库存:13855
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