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无线和射频半导体
STAC1011-350F参考图片

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STAC1011-350F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
24
¥1,219.2926
29263.0224
48
¥1,202.2409
57707.5632
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
输出功率
370 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
系列
STAC1011
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1440 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
144
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC1011-350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10281
LMH2110TM/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频检测器 Rms Log Rf Pwr Detector
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:7230
F1162NBGI
IDT
无线和射频半导体
上下转换器 RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
1:¥91.6656
5:¥87.1343
10:¥82.5239
25:¥75.145
参考库存:5226
HMC960LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 VGA, Dual Differential
1:¥148.3012
10:¥136.3119
25:¥130.7071
100:¥115.1018
参考库存:4849
MICRF211AYQS-TR
Microchip Technology / Micrel
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)380MHz to 450MHz, 3.0V to 3.6V, 6mA, 10kbps, ASK Receiver with RSSI and Shutdown
1:¥19.436
10:¥19.1309
25:¥17.8314
100:¥16.2155
2,500:¥16.2155
参考库存:6575
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