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无线和射频半导体
STAC1011-350F参考图片

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STAC1011-350F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:28,146(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥1,219.2926
29263.0224
48
¥1,202.2409
57707.5632
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
输出功率
370 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
系列
STAC1011
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1440 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
144
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,STAC1011-350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1280V-8AU AT86RF212-ZU
1:¥125.7916
10:¥114.3334
25:¥105.8132
50:¥101.2706
参考库存:3199
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:3095
无线和射频半导体
射频放大器 GPS LNA evaluation board
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:7887
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.147
10:¥1.5142
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:23824
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:3250
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