您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
MRF8VP13350GNR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRF8VP13350GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:26,961(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,033.1929
258298.225
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-4
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935320727528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
优势价格,MRF8VP13350GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ams
无线和射频半导体
RFID应答器 AS3956-ATWM-I4 WLP LF T&R
1:¥14.1363
10:¥11.30
100:¥9.9101
250:¥8.7575
12,000:¥5.0285
参考库存:5048
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4GHz Gain 19.9dB P1dB 16.3dBm NF2.7dB
1:¥34.7362
25:¥26.1256
100:¥20.4417
参考库存:5879
无线和射频半导体
射频放大器 24DBM GPA SOT89A
1:¥28.589
10:¥25.5832
25:¥23.052
50:¥21.8994
1,000:¥13.673
参考库存:5540
无线和射频半导体
射频混合器 30-2500MHz 32 Pin PLL/VCO
1:¥105.8132
25:¥81.0662
100:¥63.393
参考库存:4651
无线和射频半导体
射频放大器 PA Power Control Amp for GSM Aps
1:¥31.0411
10:¥29.2783
25:¥23.4362
50:¥22.2836
2,500:¥14.2154
参考库存:37056
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们