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无线和射频半导体
MRF8VP13350GNR3参考图片

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MRF8VP13350GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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库存:26,961(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,033.1929
258298.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-4
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935320727528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
优势价格,MRF8VP13350GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU MKW30Z160VHM4/VQFN41R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥30.8151
10:¥27.8206
25:¥24.973
100:¥23.052
参考库存:1317
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
1:¥1,103.8857
10:¥1,041.408
参考库存:1014
无线和射频半导体
射频检测器 RF Power Detector w/ 12MHz BW
1:¥31.2784
25:¥20.6677
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.8256
1,500:¥14.4414
参考库存:2097
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 2.4GHz RF Value Line SoC
1:¥31.3462
10:¥28.2048
100:¥23.052
250:¥21.5943
3,000:¥15.6731
参考库存:3979
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4GHz Hi Isolation Switch
1:¥46.7933
10:¥42.3411
25:¥40.341
100:¥35.0413
500:¥30.51
参考库存:1929
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