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无线和射频半导体
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MRF151GB

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数量单价合计
15
¥929.764
13946.46
25
¥899.028
22475.7
50
¥726.5222
36326.11
100
¥697.1648
69716.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-262A
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
30 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥42.9513
250:¥39.4935
500:¥36.0357
1,000:¥31.3462
参考库存:54728
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