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无线和射频半导体
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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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¥733.9802
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100
¥682.6443
68264.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32HG220F64R60G-B0
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10:¥24.5097
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50:¥23.6622
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1:¥677.8079
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10:¥640.6874
25:¥606.8778
参考库存:3499
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