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无线和射频半导体
A2V09H525-04NR6参考图片

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A2V09H525-04NR6

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥1,154.6792
1154.6792
5
¥1,128.9378
5644.689
10
¥1,105.8067
11058.067
25
¥1,089.5121
27237.8025
150
¥1,026.3564
153953.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.9 dB
输出功率
120 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935330045528
单位重量
5.324 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H525-04NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LTC4402-1EMS8#TRPBF
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