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无线和射频半导体
A2T21S260W12NR3参考图片

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A2T21S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：18,642(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥624.325
624.325
5
¥612.1888
3060.944
10
¥591.9731
5919.731
25
¥566.921
14173.025
250
¥508.3757
127093.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.9 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935339757528
单位重量
3.809 g
商品其它信息
优势价格，A2T21S260W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HTMS8001FTB/AF,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID HTAG ADVANCED
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
5,000:¥1.1639
参考库存:4558
AFV121KHR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:41452
EM260-RTR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC EM260 ZigBee 2.4GHz Network Coprocessor
1:¥98.5134
10:¥86.7501
25:¥74.9981
50:¥71.4612
3,500:¥50.0251
参考库存:41455
UF28100M
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥1,581.6723
参考库存:3009
ATBTLC1000A-MU-T
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000
1:¥38.2618
10:¥34.4198
25:¥31.2784
50:¥29.3574
4,000:¥17.6732
参考库存:3589
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