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无线和射频半导体
PD55015STR-E参考图片

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PD55015STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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10:¥32.0468
100:¥26.2047
250:¥24.5888
1,000:¥18.8258
参考库存:4474
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1:¥384.8102
5:¥373.1373
10:¥361.4531
25:¥349.848
参考库存:4157
无线和射频半导体
锁相环 - PLL SGL Integer-N 550 MHz
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,500:¥21.9785
参考库存:5391
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