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无线和射频半导体
D1001UK参考图片

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D1001UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175HMz SE
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数量单价合计
1
¥431.8408
431.8408
10
¥381.1264
3811.264
25
¥343.859
8596.475
50
¥331.7906
16589.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
增益
16 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
高度
6.6 mm
长度
24.76 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.52 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1001UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 Hi Perf Lo Pwr ISM FSK/GFSK/MSK/GMSK
1:¥37.0414
10:¥33.0412
25:¥29.7416
50:¥28.3517
参考库存:3427
无线和射频半导体
射频混合器 IC 400MHz - 1.2GHz Active Receive
1:¥68.3085
10:¥61.472
25:¥57.856
50:¥54.3304
1,500:¥37.1883
参考库存:3696
无线和射频半导体
PIN 二极管 Diodes (Limiter)~~RFMW
1:¥46.104
10:¥37.0414
100:¥33.7305
250:¥30.4309
参考库存:3795
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC Fundamentl mix , 16 - 30 GHz
1:¥448.2032
5:¥434.6093
10:¥421.0041
25:¥407.478
100:¥377.5895
200:¥366.7528
参考库存:3387
无线和射频半导体
射频前端 Low power GPS RF front-end
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
参考库存:6368
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