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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

优势价格，TGF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2089-6408-00	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 2-10 GHz IL 1.80dB VSWR 1.70:1	10:¥7,628.291	参考库存:51797
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QPD2194SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	100:¥1,124.8585	参考库存:51803
EFR32FG14P231F256IM48-BR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO SoC	2,500:¥41.7987	参考库存:51806
MF1PH2101DA4/02J	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 MF1PH2101DA4/PLLMC//02/REEL 13 Q1 NDP	17,500:¥5.2432	参考库存:51809