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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

优势价格，TGF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TGC-4603-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 28-30GHz 1W Pout 31.5 dBm	暂无价格	参考库存:33955
HMC1132PM5ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 27 GHz to 32 GHz 1W POWER AMPLIFIER	暂无价格	参考库存:33958
HMC437MS8GTR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 InGaP HBT Divide-by-3 SMT, DC - 7 GHz	暂无价格	参考库存:33961
HMC263	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp Chip, 24 - 36 GHz	暂无价格	参考库存:33964
HMC699LP5E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 7 GHz Integer-N Synthesizer SMT	暂无价格	参考库存:33967