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无线和射频半导体
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STAC9200

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
3 A
增益
18 dB
输出功率
230 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC244B
工作频率
1.3 GHz
系列
STAC9200
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC9200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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