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无线和射频半导体
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QPD1025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
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¥6,170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
28 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
22.5 dB
输出功率
1.862 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
685 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1,005,000:¥0.68365
参考库存:14818
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 29 31GHz Phase Shifter with Integrated SPDT
1:¥537.88
25:¥484.092
100:¥437.988
200:¥399.568
参考库存:14821
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2-18GHz ISO 35dB IL 1.9dB @ 18GHz
25:¥327.1802
参考库存:14824
无线和射频半导体
射频检测器 GSM PA Controller w/o MUX
1:¥32.4988
25:¥21.5152
100:¥17.7523
250:¥16.9048
参考库存:14827
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥50.4884
10:¥45.4147
25:¥41.3354
100:¥37.4256
参考库存:14830
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