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无线和射频半导体

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MHT1004NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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库存:16,748(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥841.7822
210445.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.2 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Reel
工作频率
2.45 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
833 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935316281528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MHT1004NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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1:¥74.3766
10:¥67.235
25:¥64.0823
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10:¥24.4306
100:¥21.2101
250:¥20.1366
1,000:¥15.2098
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10:¥18.2156
25:¥15.8313
50:¥14.9838
1,000:¥10.3734
参考库存:4837
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5:¥191.7949
10:¥186.2579
25:¥171.1272
750:¥138.9222
参考库存:4545
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 6dB, Gain 25.5dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
参考库存:3893
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