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MRF1004MB参考图片

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MRF1004MB

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
批号:新批次
描述:射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
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参数信息

参数	参数值
制造商	Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
晶体管类型	Bipolar Power
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	10
集电极—发射极最大电压 VCEO	20 V
发射极 - 基极电压 VEBO	3.5 V
集电极连续电流	250 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	332A-03
封装	Tray
工作频率	1090 MHz
类型	RF Bipolar Power
商标	Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散	7 W
产品类型	RF Bipolar Transistors
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，MRF1004MB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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